參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4793
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Power Amplifier, Driver Stage Applications NPN Transistor(功率放大器,驅(qū)動(dòng)器級(jí)應(yīng)用NPN晶體管)
中文描述： 功率放大器，驅(qū)動(dòng)級(jí)應(yīng)用NPN晶體管（功率放大器，驅(qū)動(dòng)器級(jí)應(yīng)用npn型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 360K
代理商： 2SC4793
TOSHIBA
TOSHIBA CORPORATION
1/2
Discrete Semiconductors
2SC4793
Transistor
Silicon NPN Epitaxial Planar Type
Power Amplifier, Driver Stage Applications
Features
High Transistion: f
Complementary to 2SA1837
T
= 100MHz
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°
C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
230
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
230
V
Collector-Base Voltage
V
EBO
5
V
Collector Current
I
C
1
mA
Base Current
I
B
0.1
mA
Collector Power Dissipa-
tion
Ta = 25
°
C
P
C
2.0
mW
Tc = 25
°
C
20
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature Range
T
stg
-55 ~ 125
°
C
Electrical Characteristics (Ta = 25
°
C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
= 230V, I
E
= 0
–
–
1.0
μ
A
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
EB
= 5V, I
C
= 0
–
–
1.0
μ
A
Collector-Emmitter
Breakdown Voltage
V
(BR) CEO
I
C
= 10mA, I
B
= 0
230
–
–
V
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 5V, I
C
= 100mA
100
–
320
Collector-Emmitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
–
–
1.5
V
Base-Emitter Voltage
V
BE
V
f = 1MHz
CE
= 5V, I
C
= 500mA,
–
–
1.0
pF
Transistion Frequency
f
T
V
CE
= 10V, I
C
= 100mA
–
100
–
MHz
Collector Output Capacitance
C
ob
V
CB
= 10V, I
C
= 0, f = 1MHz
–
20
–
pF
Unit in mm
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