- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371512 > 2SC4935 (Toshiba Corporation) NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC4935 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 中文描述： | npn型外延式（功率放大器應(yīng)用） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 153K |
| 代理商： | 2SC4935 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4940 | Switching Power Transistor(4A NPN) |
| 2SC4941 | Switching Power Transistor(6A NPN) |
| 2SC4944 | NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SC4953 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) |
| 2SC4960 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4935-O(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC4935-Y,Q(J | 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:80MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC494 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 50V 5A 50W BEC |
| 2SC4940-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。