參數(shù)資料
型號(hào): 2SC4955-T1FB
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: MINIMOLD PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 7/7頁(yè)
文件大小: 94K
代理商: 2SC4955-T1FB
Data Sheet D17174EJ1V0DS
5
2SK3899
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
0
2
4
6
8
10
12
-75
-25
25
75
125
175
ID = 42 A
Pulsed
10 V
VGS = 4.5 V
Tch - Channel Temperature - °C
C
is
s,
C
os
s,
C
rss
-Capacitance
-pF
10
100
1000
10000
100000
0.1
1
10
100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
C oss
C rss
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d(
on)
,t
r,t
d(
off)
,t
f-
Swi
tching
Time
-ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
tr
td(off)
td(on)
tf
VDD = 30 V
VGS(on) = 10 V
RG = 0
ID - Drain Current - A
V
DS
-
D
rain
to
So
urce
Voltage
-
V
0
10
20
30
40
50
60
0
2040
6080
100
0
2
4
6
8
10
12
VDS
VDD = 48V
30V
12V
ID = 84 A
VGS
QG - Gate Charge - nC
V
GS
-
Gate
to
So
urce
Voltage
-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F-
Diode
Fo
rwa
rd
Curren
t-
A
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
VGS = 10 V
0 V
Pulsed
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V
t
rr-
Rev
ers
eRec
ov
ery
Ti
me
-ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
s
VGS = 0 V
IF - Diode Forward Current - A
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PDF描述
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