參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4960
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching)
中文描述： 1 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-92, TOP-3F-A1, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2SC4960
2
Power Transistors
2SC4960, 2SC4960A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
t
on
, t
stg
, t
f
— I
C
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=3.0W)
(1)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
C
=25C
90mA
60mA
50mA
40mA
30mA
20mA
10mA
100mA
I
B
=200mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0.01
3
1
0.3
0.1
0.03
I
C
/I
B
=5
–25C
25C
T
C
=100C
Collector current I
C
(A)
C
C
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0.01
3
1
0.3
0.1
0.03
I
C
/I
B
=5
T
C
=–25C
25C
100C
Collector current I
C
(A)
B
B
0.01
3
1
0.1
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
V
CE
=5V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
0.001
0.01
0.1
1
0.003
Collector current I
C
(A)
0.03
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
T
T
0
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
t
stg
t
f
t
on
Pulsed t
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=5
(2I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=250V
T
C
=25C
Collector current I
C
(A)
S
o
,
s
,
f
μ
s
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
I
CP
I
C
Non repetitive pulse
T
C
=25C
2SC4960
2SC4960A
DC
10ms
t=1ms
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SC4979 Switching Power Transistor(5A NPN)
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參數(shù)描述
2SC4978-7061 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7071 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7101 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4979-7061 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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