參數(shù)資料
型號： 2SC5508-T2
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 203K
代理商： 2SC5508-T2
Data Sheet PU10521EJ01V0DS
2
2SC5508
THERMAL RESISTANCE
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction to Case Resistance
Rth j-c
150
°C/W
Junction to Ambient Resistance
Rth j-a
650
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25 °C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
–
200
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1 V, IC = 0 mA
–
200
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 2 V, IC = 5 mA
50
70
100
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 30 mA, f = 2 GHz
20
25
–
GHz
Insertion Power Gain
|S21e|2
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
14
17
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–
1.1
1.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 2 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.18
0.24
pF
Maximum Available Power Gain
MAG
Note 3
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
–
19
–
dB
Maximum Stable Power Gain
MSG
Note 4
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
–
20
–
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
VCE = 2 V, IC = 20 mA
Note 5, f = 2 GHz
–
11
–
dBm
3rd Order Intermodulation Distortion
Output Intercept Point
OIP3
VCE = 2 V, IC = 20 mA
Note 5, f = 2 GHz
–
22
–
dBm
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
3. MAG =
4. MSG =
5. Collector current when PO (1 dB) is output
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
T79
hFE Value
50 to 100
(K –
√ (K2 – 1) )
S21
S12
S21
S12
相關PDF資料
PDF描述
2SC5508-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5509-T2FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5509-FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5532B 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5539A UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5508-T2-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
2SC5508-T2-A(FB) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1
2SC5509-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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