參數(shù)資料
型號： 2SC5508-T2
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 203K
代理商： 2SC5508-T2
Data Sheet PU10521EJ01V0DS
3
2SC5508
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°C, unless otherwise specified)
Thermal/DC Characteristics
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current IC (mA)
DC
Current
Gain
h
FE
250
200
150
100
50
0
Ambient Temperature TA (C), Case Temperature TC (C)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Collector
Current
I
C
(mA)
0
25
50
75
100
125
150
Ptot-TA: Free air
Ptot-TA: Mounted on ceramic board
(15 mm
× 15 mm, t = 0.6 mm)
Ptot-TC: When case temperature
is specified
50
40
30
20
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VCE = 2 V
50
40
30
20
10
0
01
2
3
4
5
IB = 50 A
100 A
150 A
200 A
250 A
300 A
350 A
400 A
450 A
500 A
0.001
200
100
10
1
0.01
0.1
1
10
100
VCE = 2 V
Collector
Current
I
C
(mA)
TOTAL POWER DISSIPATION vs. AMBIENT
TEMPERATURE, CASE TEMPERATURE
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Capacitance/fT Characteristics
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Collector to Base Voltage VCB (V)
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
f = 1 MHz
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
1
30
25
20
15
10
5
0
10
100
VCE = 3 V
f = 2 GHz
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5509-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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