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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5509-FB-A |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | 2SC5509-FB-A |
Data Sheet PU10009EJ02V0DS
3
2SC5509
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°C, unless otherwise specified)
Thermal/DC Characteristics
VCE = 2 V
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
50
40
30
20
10
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
1.2
400
350
300
250
200
150
190
330
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Ambient Temperature TA (C), Case Temperature TC (C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs. AMBIENT
TEMPERATURE, CASE TEMPERATURE
When case temperature
is specified
Mounted on
ceramic substrate
(15
× 15 mm, t = 0.6 mm)
Free Air
200
100
150
50
0
0.01
0.1
0.001
1
10
100
DC
Current
Gain
h
FE
Collector Current IC (mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
VCE = 2 V
Collector
Current
I
C
(mA)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
150
50
100
02
14
35
200 A
100 A
300 A
400 A
500 A
600 A
700 A
800 A
900 A
1 000 A
IB = 1 100
A
Capacitance/fT Characteristics
f = 1 MHz
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
1.00
0.60
0.80
0.20
0.40
0
1.0
3.0
4.0
2.0
5.0
VCE = 3 V
f = 2 GHz
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
30
25
20
15
10
5
0
10
100
1
1 000
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5532B | 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5539A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5576 | 4 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5589 | 18 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5593 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5509-T2-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1 |
| 2SC5509-T2-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5517000LK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5521 | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5536A-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 50MA 12V FT=1.7G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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