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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5509-FB-A |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | 2SC5509-FB-A |
Data Sheet PU10009EJ02V0DS
4
2SC5509
Gain Characteristics
VCE = 2 V
IC = 50 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
40
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1.0
10.0
MAG
MSG
|S21e|
2
VCE = 2 V
f = 2 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
30
25
20
15
10
5
0
1
10
100
MAG
MSG
|S21e|
2
VCE = 2 V
f = 1 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
30
15
20
25
10
5
0
1
10
100
MAG
MSG
|S21e|
2
Output Characteristics
VCE = 2 V
f = 1 GHz
25
20
15
10
5
0
–5
150
25
50
75
125
100
0
–15
0
–5
–10
5
10
15
Input Power Pin (dBm)
OUTPUT POWER, COLLECTOR
CURRENT vs. INPUT POWER
Output
Power
P
out
(dBm)
Collector
Current
I
C
(mA)
Pout
IC
VCE = 2 V
f = 2 GHz
25
20
15
10
5
0
–5
150
25
50
75
125
100
0
–15
0
–5
–10
5
10
15
Input Power Pin (dBm)
OUTPUT POWER, COLLECTOR
CURRENT vs. INPUT POWER
Output
Power
P
out
(dBm)
Collector
Current
I
C
(mA)
Pout
IC
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5532B | 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5539A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5576 | 4 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5589 | 18 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5593 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5509-T2-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC5509-T2-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5517000LK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5521 | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5536A-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 50MA 12V FT=1.7G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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