- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370083 > 2SC5551E (Sanyo Electric Co.,Ltd.) Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5551E |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 300mA的一（c）|至243 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | 2SC5551E |
2SC5551
No.6328–3/5
S Parameters (Common emitter)
V
CE
=5V, I
C
=1mA, Z
O
=50
IT01072
IT01073
PC -- Ta
A S O
1.0
2
3
5
10
2
3
5
7
100
2
3
5
7
1000
IC=300mA
ICP=600mA
DCopeaion
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.3
1.4
1m
10m
C
C
Ambient Temperature, Ta – C
Mounedonacrmcbord(250mm
×
08mm
Ta=25
°
C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (250mm
2
×
0.8mm)
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE– V
)
H
M
(
q
e
F
S
|
1
1
|
∠
S1
S
|
1
2
|
∠
S1
2
S
|
2
1
|
∠
S2
1
S
|
2
2
|
∠
S2
0
0
1
1
4
9
1
0
1
–
3
7
3
9
1
1
8
8
0
7
3
4
8
8
8
1
–
0
0
2
9
5
8
0
4
1
–
5
2
4
8
9
7
9
0
3
1
1
2
8
2
2
–
0
0
3
9
2
8
6
5
1
–
0
9
9
4
7
8
8
0
0
1
5
5
7
8
3
–
0
0
4
1
3
8
5
6
1
–
5
4
8
2
6
4
7
0
7
1
6
6
7
9
4
–
0
0
5
0
4
8
6
7
1
–
5
1
7
1
6
8
5
0
2
2
8
9
7
9
4
–
0
0
6
6
1
8
3
7
1
8
3
6
7
5
5
5
0
6
5
0
9
7
4
5
–
0
0
7
6
1
8
9
6
1
7
0
5
8
4
4
6
0
4
7
1
7
7
7
6
–
0
0
8
4
1
8
3
5
1
6
6
4
0
4
8
9
0
3
8
3
1
8
0
7
–
0
0
9
0
0
8
9
5
1
3
4
4
7
4
4
3
1
2
9
2
9
7
8
8
–
0
0
0
1
4
0
8
0
4
1
8
8
3
3
4
3
7
1
2
9
2
8
7
0
9
–
V
CE
=5V, I
C
=5mA, Z
O
=50
)
H
M
(
q
e
F
S
|
1
1
|
∠
S1
S
|
1
2
|
∠
S1
2
S
|
2
1
|
∠
S2
1
S
|
2
2
|
∠
S2
0
0
1
3
0
8
9
1
1
–
4
1
4
7
1
1
8
6
0
3
4
5
3
6
3
3
–
0
0
2
4
2
7
3
5
1
–
2
7
1
7
9
6
7
0
5
3
2
7
4
7
4
–
0
0
3
1
0
7
9
6
1
–
2
5
9
3
8
8
7
0
0
3
1
3
4
4
4
–
0
0
4
0
0
7
1
7
1
–
6
8
2
9
7
2
8
0
9
4
2
3
4
2
5
–
0
0
5
3
9
6
1
7
1
7
5
8
6
6
1
9
0
9
5
7
3
4
6
5
–
0
0
6
9
8
6
2
7
1
9
5
5
0
6
0
0
1
6
5
3
4
4
4
6
–
0
0
7
5
9
6
3
6
1
1
7
3
3
5
7
1
1
7
6
1
5
4
3
7
–
0
0
8
1
9
6
3
5
1
4
7
1
8
4
7
3
1
1
6
3
6
4
3
7
–
0
0
9
3
9
6
0
5
1
7
6
0
5
4
1
6
1
4
7
9
7
4
1
8
–
0
0
0
1
5
0
7
9
4
1
8
8
9
9
4
9
8
1
3
7
6
9
4
3
9
–
)
H
M
(
q
e
F
S
|
1
1
|
∠
S1
S
|
1
2
|
∠
S1
2
S
|
2
1
|
∠
S2
1
S
|
2
2
|
∠
S2
0
0
1
8
1
7
2
2
1
–
9
8
4
1
3
1
1
9
5
0
0
4
9
0
5
8
5
–
0
0
2
8
5
6
9
5
1
–
7
4
7
2
9
9
6
0
0
4
9
2
3
8
5
–
0
0
3
9
3
6
4
7
1
–
2
8
8
7
8
9
7
0
7
4
6
8
2
0
6
–
0
0
4
2
3
6
7
7
1
–
4
5
9
4
7
2
9
0
8
5
1
7
2
2
6
–
0
0
5
8
2
6
6
7
1
5
0
4
8
6
7
0
1
4
5
3
7
2
5
7
–
0
0
6
7
2
6
5
6
1
0
4
0
8
6
4
2
1
5
6
0
8
2
9
7
–
0
0
7
6
2
6
9
6
1
8
7
7
4
5
3
4
1
9
6
6
9
2
6
8
–
0
0
8
9
2
6
4
5
1
1
7
5
3
5
2
6
1
7
6
6
0
3
9
8
–
0
0
9
1
3
6
7
5
1
5
0
4
9
4
5
8
1
8
6
8
1
3
9
9
–
0
0
0
1
3
3
6
0
4
1
2
9
2
7
4
9
0
2
8
6
9
3
3
4
9
–
V
CE
=5V, I
C
=10mA, Z
O
=50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5551F | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-243 |
| 2SC5554 | Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier |
| 2SC5555 | Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier |
| 2SC5564 | DC/DC Converter Applications |
| 2SA2011 | DC/DC Converter Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC555600L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5563(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 1.5KV 0.02A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SC5565-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:mom 30V 5A 200 to 560 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 30V 5A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SC5566-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5569-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。