參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5617-T3EB-A
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 103K
代理商： 2SC5617-T3EB-A
Data Sheet D15068EJ3V0DS
4
2SK3483
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
ID
-
Drain
Current
-
A
0
10
20
30
40
50
60
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
Pulsed
VGS = 10 V
4.5 V
ID
-
Drain
Current
-
A
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
1
2
345
V DS = 10 V
Puls ed
T A = 150
°C
75°C
25°C
-40°C
VDS - Drain to Source Voltage - V
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
S
(off)
–
Gate
Cut-off
Voltage
-
V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
VSD = 10 V
ID = 1 mA
|
y
fs
|-
Forward
Transfer
Admittance
-
S
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V DS = 10 V
Pulsed
TA = -40
°C
25
°C
75
°C
150
°C
Tch - Channel Temperature -
°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.1
1
10
100
10 V
Pulsed
VGS = 4.5 V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
1214
1618
20
Pulsed
ID = 28 A
14A
5.6 A
R
DS(
on)
-
Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
m
Ω
ID - Drain Current - A
R
DS(
on)
-
Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
m
Ω
VGS - Gate to Source Voltage - V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5629 RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5629 RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5632G 50 mA, 8 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5646 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5652-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC562 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC562200VLA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR
2SC562200VLK 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC563200L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC5632G0L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*