參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5621
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
中文描述： 高頻信號(hào)放大的應(yīng)用硅npn型外延式
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 133K
代理商： 2SC5621
G
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h
FE
:mm
1
2
3
EIJA:
V
CBO
V
CEO
I
C
P
C
T
j
T
stg
20
12
3
50
100
+125
-55~+125
V
V
mA
mW
V
EBO
V
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
S
21
NF
V
CB
=10V, I
E
=0mA
V
EB
=1V, I
C
=0mA
V
CE
=5V, I
C
=20mA
V
CE
=5V, I
E
=20mA
V
CB
=5V, I
E
=0mA, f=1MHz
V
CE
=5V, I
C
=20mA, f=1GHz
V
CE
=5V, I
C
=5mA, f=1GHz
2
1.0
1.0
250
50
4.5
1.0
9.0
1.5
7.5
GHz
pF
dB
dB
0.8
0.4
0.4
1.6
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5622 Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)
2SC5625 SILICON EPITAXIAL
2SC5626 2SC5626
2SC5632 Silicon NPN epitaxial planar type
2SC5654 Silicon NPN epitaxial planer type(For DC-DC converter)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC562200VLA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR
2SC562200VLK 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC563200L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC5632G0L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC5646A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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