參數資料
型號： 2SC5629
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SMPAK-3
文件頁數： 8/10頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： 2SC5629
2SC5629
7
Sparameter (V
CE = 1V, IC = 5mA, Zo = 50)
S11
S21
S12
S22
f (MHz) MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
100
0.734
–21.4
13.62
163.7
0.0220
78.7
0.956
–13.4
200
0.676
–41.9
12.34
148.7
0.0421
69.3
0.865
–25.5
300
0.598
–59.8
10.79
136.0
0.0572
61.9
0.753
–34.7
400
0.530
–75.6
9.38
126.5
0.0678
57.2
0.652
–41.0
500
0.471
–88.8
8.18
118.9
0.0756
55.0
0.568
–45.4
600
0.429
–100.8
7.19
112.9
0.0821
53.9
0.498
–48.3
700
0.395
–110.8
6.40
107.8
0.0881
53.4
0.442
–50.2
800
0.370
–120.6
5.74
103.5
0.0940
53.4
0.395
–51.7
900
0.349
–130.0
5.20
100.1
0.0990
54.0
0.355
–52.3
1000
0.336
–136.4
4.74
96.9
0.104
54.6
0.323
–52.7
1100
0.332
–144.1
4.39
93.9
0.109
55.5
0.294
–52.9
1200
0.327
–151.6
4.05
91.4
0.115
56.4
0.270
–52.8
1300
0.322
–157.0
3.77
89.1
0.120
57.4
0.250
–52.2
1400
0.325
–162.9
3.54
86.9
0.125
58.0
0.230
–52.6
1500
0.322
–168.0
3.32
84.9
0.130
58.8
0.215
–52.0
1600
0.331
–172.6
3.14
82.7
0.138
59.8
0.200
–51.5
1700
0.338
–177.0
2.97
80.9
0.143
60.3
0.185
–51.5
1800
0.337
179.0
2.84
79.4
0.149
61.5
0.171
–51.2
1900
0.341
175.4
2.71
77.9
0.154
61.7
0.158
–51.1
2000
0.358
170.8
2.59
76.0
0.161
62.4
0.147
–50.9
相關PDF資料
PDF描述
2SC5632G 50 mA, 8 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5646 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5652-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5652-T1 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5652-T1FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC563200L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC5632G0L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC5646A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC565400L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5654G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*