參數(shù)資料
型號： 2SC5713
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 東芝晶體硅npn型外延式
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 159K
代理商： 2SC5713
2SC5713
2001-12-17
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5713
High-Speed Switching Applications
DC-DC Converter Applications
Strobe Applications
High DC current gain: h
FE
= 400 to 1000 (I
C
= 0.5 A)
Low collector-emitter saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.15 V (max)
High-speed switching: t
f
= 50 ns (typ.)
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
20
V
Collector-emitter voltage
V
CEX
15
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
10
V
Emitter-base voltage
V
EBO
7
V
DC
I
C
4
Collector current
Pulse
I
CP
7
A
Base current
I
B
400
mA
DC
1.0
Collector power
dissipation
t
=
10 s
P
C
(Note)
2.5
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
°C
Note: Mounted on FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm
2
)
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
100
nA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=
7 V, I
C
=
0
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR) CEO
I
C
=
10 mA, I
B
=
0
10
V
h
FE
(1)
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.5 A
400
1000
DC current gain
h
FE
(2)
V
CE
=
2 V, I
C
=
1.6 A
200
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
=
1.6 A, I
B
=
32 mA
0.15
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
=
1.6 A, I
B
=
32 mA
1.10
V
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
28
pF
Rise time
t
r
110
Storage time
t
stg
150
Switching time
Fall time
t
f
See Figure 1 circuit diagram.
V
CC
～
6 V, R
L
=
3.75
I
B1
=
I
B2
=
53 mA
50
ns
Industrial Applications
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
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PDF描述
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2SC57250SL 功能描述:TRAN NPN HF 15VCEO 2.0A MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5729T106Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5729T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5730KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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