參數(shù)資料
型號： 2SC5730K
英文描述： Transistors
中文描述： 晶體管
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： 2SC5730K
NE662M16
Collector to Base Voltage, VCB (V)
Reverse
Transfer
Capacitance,
C
re
(pF)
f = 1 MHz
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
02
468
10
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
Collector
Current,
Ic
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
VCE = 2 V
35
25
30
10
5
20
15
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
40
25
20
15
35
30
10
5
01
2
3
4
IB = 50
A
450
A
400
A
350
A
300
A
250
A
200
A
150
A
100
A
500 A
1 000
100
10
1
0.1
10
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
30
25
20
15
10
5
0
10
1
100
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
300
250
115
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Mounted on Glass Epoxy Board
(1.08 cm
2 × 1.0 mm (t) )
Ambient Temperature, TA (°C)
Total
Power
Dissipation,
P
tot
(mW)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector
Current,
Ic
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Collector Current, lC (mA)
DC
Current
Gain,
h
FE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, IC (mA)
Gain
Bandwdth,
f
T
(GHz)
GAIN BANDWIDTH vs.
COLLECTOR CURRENT
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5730TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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