參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5730K
英文描述： Transistors
中文描述： 晶體管
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： 2SC5730K
NE662M16
NE662M16 NONLINEAR MODEL
SCHEMATIC
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR NEC RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
Internet: http://WWW.CEL.COM
01/22/2002
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Life Support Applications
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MODEL RANGE
Frequency:
0.1 to 4 GHz
Bias:
VCE = 0.5 V to 3 V, IC = 1 mA to 30 mA
Date:
01/15/2002
Parameters
NE662M16
CCB
0.07e-12
CCE
0.09e-12
LB
0.4e-9
LE
0.14e-9
CCEPKG
0.12e-12
CBEPK
0.1e-12
LBX
0.1e-9
LCX
0.6e-9
LEX
0.04e-9
ADDITIONAL PARAMETERS
Parameters
Q1
Parameters
Q1
IS
1.6e-16
MJC
0.3
BF
105
XCJC
0.1
NF
1.02
CJS
0
VAF23
VJS
0.75
IKF
0.38
MJS
0
ISE
1e-6
FC
0.6
NE
30
TF
2e-12
BR
12
XTF
0.2
NR
1.02
VTF
0.2
VAR
2.5
ITF
0.03
IKR
0.1
PTF
0
ISC
3e-15
TR
1e-11
NC
1.28
EG
1.11
RE
1.1
XTB
0
RB
6
XTI
3
RBM
3.5
KF
0
IRB
1.3e-3
AF
1
RC
8.75
CJE
0.4e-12
VJE
0.6
MJE
0.5
CJC
0.1e-12
VJC
0.75
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)
(1) Gummel-Poon Model
Base
Emitter
Collector
LBX
LB
LEX
LE
LCX
CCB
CCE
CCEPKG
CBEPKG
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5736 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5736-T1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416VAR
2SC5737 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5737-T1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 3V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-416VAR
2SC5741 NPN silicon RF transistor for high-frequency low noise 3-pin ultra super minimold
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5730KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5730KT146R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5730TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5730TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5731T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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