參數(shù)資料
型號： 2SC5736-T1
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 5V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 416VAR
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： 2SC5736-T1
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
VCBO
Collector to Base Voltage
V
15
VCEO
Collector to Emitter Voltage
V
3.3
VEBO
Emitter to Base Voltage
V
1.5
IC
Collector Current
mA
35
PT
Total Power Dissipation
mW
115
TJ
Junction Temperature
°C
150
TSTG
Storage Temperature
°C
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25°C)
NE662M16
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)
PACKAGE OUTLINE M16
0.5±0.05
0.125
+0.1 -0.05
0.4
0.8
0.15±0.05
1.2
+0.07 -0.05
0.8
+0.07
-0.05
1.0±0.05
1
2
3
6
5
4
zC
PIN CONNECTIONS
1. Collector
2. Emitter
3. Emitter
4. Base
5. Emitter
6. Emitter
PART NUMBER
QUANTITY
PACKAGING
NE662M16-T3
10 kpcs/reel
Pin 1 (Collector), Pin 6 (Emitter)
face the perforation side on the
tape.
ORDERING INFORMATION
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PDF描述
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2SC5750-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
2SC5750-T1-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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