參數(shù)資料
型號: 2SC5736-T1
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 5V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|的SOT - 416VAR
文件頁數(shù): 9/9頁
文件大?。?/td> 63K
代理商: 2SC5736-T1
NE662M16
NE662M16 NONLINEAR MODEL
SCHEMATIC
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR NEC RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
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01/22/2002
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MODEL RANGE
Frequency:
0.1 to 4 GHz
Bias:
VCE = 0.5 V to 3 V, IC = 1 mA to 30 mA
Date:
01/15/2002
Parameters
NE662M16
CCB
0.07e-12
CCE
0.09e-12
LB
0.4e-9
LE
0.14e-9
CCEPKG
0.12e-12
CBEPK
0.1e-12
LBX
0.1e-9
LCX
0.6e-9
LEX
0.04e-9
ADDITIONAL PARAMETERS
Parameters
Q1
Parameters
Q1
IS
1.6e-16
MJC
0.3
BF
105
XCJC
0.1
NF
1.02
CJS
0
VAF23
VJS
0.75
IKF
0.38
MJS
0
ISE
1e-6
FC
0.6
NE
30
TF
2e-12
BR
12
XTF
0.2
NR
1.02
VTF
0.2
VAR
2.5
ITF
0.03
IKR
0.1
PTF
0
ISC
3e-15
TR
1e-11
NC
1.28
EG
1.11
RE
1.1
XTB
0
RB
6
XTI
3
RBM
3.5
KF
0
IRB
1.3e-3
AF
1
RC
8.75
CJE
0.4e-12
VJE
0.6
MJE
0.5
CJC
0.1e-12
VJC
0.75
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)
(1) Gummel-Poon Model
Base
Emitter
Collector
LBX
LB
LEX
LE
LCX
CCB
CCE
CCEPKG
CBEPKG
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PDF描述
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