參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5752FB
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 17/22頁(yè)
文件大?。?/td> 219K
代理商： 2SC5752FB
Data Sheet P15658EJ1V0DS
2
2SC5752
THERMAL RESISTANCE
Parameter
Symbol
Value
Unit
Junction to Ambient Resistance
Rth j-a
Note
610
°C/W
Note Mounted on 1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VBE = 1 V, IC = 0 mA
100
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 3 V, IC = 30 mA
75
120
150
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 30 mA, f = 2 GHz
12.0
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 3 V, IC = 30 mA, f = 2 GHz
8.0
10.0
dB
Noise Figure
NF
VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
1.7
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 3 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
0.46
0.7
pF
Maximum Available Power Gain
MAG
Note 3
VCE = 3 V, IC = 30 mA, f = 2 GHz
13.0
dB
Linear Gain
GL
VCE = 2.8 V, ICq = 10 mA, f = 1.8 GHz,
Pin =
5 dBm
12.5
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
VCE = 2.8 V, ICq = 10 mA, f = 1.8 GHz,
Pin = 7 dBm
18.0
dBm
Collector Efficiency
ηC
VCE = 2.8 V, ICq = 10 mA, f = 1.8 GHz,
Pin = 7 dBm
55
%
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
3. MAG =
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
R55
hFE Value
75 to 150
(K –
√√√√ (K2 – 1) )
S21
S12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5752-T1FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5752 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5753-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5753-T2FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5753-T2FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5752-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
2SC5753-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5753-T2-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape
2SC5753-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5754-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5V 頻率 - 躍遷:20GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:- 增益:12dB 功率 - 最大值:735mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 100mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*