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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5752FB |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件頁數(shù)： | 19/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商： | 2SC5752FB |
Data Sheet P15658EJ1V0DS
4
2SC5752
VCE = 3 V
IC = 30 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S21e|
2
VCE = 3 V
f = 2.5 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
25
20
15
10
5
0
1
10
100
MAG
|S21e|
2
VCE = 3 V
f = 2 GHz
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
15
10
5
0
10
1
100
VCE = 3 V
f = 2 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
25
20
15
10
5
0
1
10
100
|S21e|
2
MAG
MSG
VCE = 3 V
f = 1 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
25
5
10
15
20
0
1
10
100
MAG
MSG
|S21e|
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5752-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5752 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5753-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5753-T2FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5753-T2FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5752-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 2SC5753-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC5753-T2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
| 2SC5753-T2-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5754-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5V 頻率 - 躍遷:20GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:12dB 功率 - 最大值:735mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 100mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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