參數(shù)資料
型號： 2SC5774
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 34K
代理商： 2SC5774
2SA2062 / 2SC5774
No.6987-2/4
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2022A
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-3PB
15.6
2.6
3.5
1.2
14.0
1.6
1.0
2.0
0.6
20.0
15.0
1.3
3.2
4.8
2.0
0.6
5.45
1.4
1
2
3
VR
RB
VCC=50V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=
10
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=5A
For PNP, the polarity is reversed.
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0123456789
10
IT03410
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
2SA2062
2SC5774
IT03411
0
--0.5
--1.0
--1.5
IT03412
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
2SA2062
VCE= --5V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
IT03413
0
0.4
0.8
1.2
0.6
0.2
1.0
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
--500mA
--400mA
--300mA
--200mA
--100mA
--40mA
--20mA
IB=0
500mA
400mA
300mA
200mA
100mA
20mA
40mA
IB=0
2SC5774
VCE=5V
相關PDF資料
PDF描述
2SA2062 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5787-FB-A S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5787-T3FB-A S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5787-T3-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5787-T3 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5778 制造商:Sanyo Fisher 功能描述:800V 15A 85W Bce Sanyo Transistor TO-3Pmlh
2SC578 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR60V .5A .6W
2SC5784(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A TSM
2SC5785(TE12L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 10V 2A hfe1000 25ns PW-M
2SC57880PA 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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