參數(shù)資料
型號： 2SC5843-T3FB-A
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 59K
代理商： 2SC5843-T3FB-A
2SD2088
2009-12-21
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
1
10
0.01
0.1
5
0.05
0.1
0.3
0.5
1
*: Single nonrepetitive pulse
Ta = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
VCEO max
1 ms*
10 ms*
100 μs*
DC operation
Ta = 25°C
100
0.3
3
50
30
0.03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5843-FB-A L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5849WY-TR-E UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5850LBTL-E 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5850 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5859 23 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC584500L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC584600L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5846G0L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC584800A 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA 1006 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5855 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTOR 2- 1700V 10A 50W BCE
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