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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5865TLQ |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 931K |
| 代理商： | 2SC5865TLQ |
1/3
www.rohm.com
○
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2011.03 - Rev.A
High voltage discharge, High speed switching,
Low Noise (60V, 1A)
2SC5865
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) High speed switching. ( Tf : Typ. : 50ns at IC = 1.0A)
2) Low saturation voltage, typically.
(Typ. : 200mV at IC = 500mA, IB = 50mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Low Noise.
5) Complements the 2SA2092.
Applications
High speed switching, Low noise
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Packaging specifications
Taping
2SC5865
Type
TL
3000
Package
Basic ordering unit (pieces)
Code
Absolute maximum ratings (Ta=25
C)
Parameter
V
A
mW
1 Pw=10ms
2 Each terminal mounted on a recommended land
2
1
°C
A
°C
VCBO
VCEO
IC
PC
Tj
VEBO
ICP
Tstg
Symbol
60
6
1.0
2.0
500
150
55 to +150
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : VU
TSMT3
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
0~0.1
0.16
0.85
1.0MAX
0.7
0.3
~
0.6
(2)
(1)
(3)
2.9
2.8
1.9
1.6
0.95
0.4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6026-GR | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6026-Y | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6140 | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC945-O-BP | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC945-BL-BP | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5865TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5866 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, ROHM, TSMT3, |
| 2SC5866TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5866TLQ/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SC5866TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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