參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5886
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 136K
代理商： 2SC5886
2SC5886
2005-02-01
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5886
High-Speed Swtching Applications
DC-DC Converter Applications
High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A)
Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = 0.22 V (max)
High-speed switching: tf = 55 ns (typ.)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
VCEX
80
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
5
Collector current
Pulse
ICP
10
A
Base current
IB
0.5
A
Ta
= 25°C
1
Collector power
dissipation
Tc
= 25°C
Pc
20
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 100 V, IE = 0
100
nA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
50
V
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 0.5 A
400
1000
DC current gain
hFE (2)
VCE = 2 V, IC = 1.6 A
200
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 1.6 A, IB = 32 mA
0.22
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1.6 A, IB = 32 mA
1.10
V
Rise time
tr
63
Storage time
tstg
560
Switching time
Fall time
tf
See Figure 1.
VCC 24 V, RL = 15
IB1 = 32 mA, IB2 = 53 mA
55
ns
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5886 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5890 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5894WJ-TL-E HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5906 Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5915(SMP-FD) 10 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5886A(T6L1,NQ) 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5888 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5888-1EX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 10A 50V
2SC5900-MG32 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SC5902 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TOP-3E-A1 1700V 9A 40W BCE Panasonic Transistor
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