參數(shù)資料
型號： 2SC6022
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 9000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 35K
代理商： 2SC6022
2SC6022
No.8355-2/4
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Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
40
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=2.5A, IB=50mA
100
150
mV
IC=4A, IB=200mA
120
180
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=2.5A, IB=50mA
0.85
1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10A, IE=0A
40
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
30
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10A, IC=0A
6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
30
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
320
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
15
ns
Package Dimensions
unit : mm
7518-003
7003-003
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=12V
IC=20IB1= --20IB2=2.5A
VBE= --5V
+
50
RL
INPUT
OUTPUT
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
2.3
7.0
7.5
1.6
0.8
5.5
1.5
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.6
0.5
1.2
2.3
7.0
2.5
5.5
1.5
0.8
0 to 0.2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
IC -- VCE
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
9
5
6
7
8
4
2
3
1
0
10
5
6
7
9
8
4
2
3
1
0
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
IT09466
10mA
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
IB=0mA
5mA
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
VCE=2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
IT09467
30mA
50mA
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