參數(shù)資料
型號: 2SD1207-S
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: MP, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 50K
代理商: 2SD1207-S
2SB892 / 2SD1207
No.930-3/5
hFE -- IC
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
hFE -- IC
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
f T -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector Current, IC -- mA
f T -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
2SB892
VCE= --2V
ITR08652
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
10
--100
7
3
25
7
3
25
3
25
--1000
--10
2SD1207
VCE=2V
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
10
100
7
3
25
7
3
25
3
25
1000
10
ITR08653
2SB892
VCB= --10V
10
100
7
5
3
2
7
5
3
2
1000
--100
--10
25
37
2
5
32
3
7 --1000
2SD1207
VCB=10V
100
10
25
37
2
5
32
3
7 1000
ITR08654
10
100
7
5
3
2
7
5
3
2
1000
ITR08655
0
0.4
0.2
1.2
0.8
1.0
0.6
--2mA
--1mA
--3mA
--4mA
--5mA
--6mA
--7mA
--1200
--1000
--400
--800
--600
--200
0
--12
--8
--10
--6
--2
--4
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
1200
1000
400
800
600
200
0
--1200
--1000
--400
--800
--600
--200
0
1200
1000
400
800
600
200
0
012
810
6
24
IB=0mA
ITR08648
2SB892
2SD1207
IB=0mA
ITR08649
2SD1207
VCE=2V
ITR08651
0
--0.4
--1.2
--0.8
--1.0
--0.2
--0.6
2SB892
VCE= --2V
ITR08650
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1207-U 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1207U 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1207T 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1207-U 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB892T 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1207S-AE 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1207T 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1207T-AE 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1207U 功能描述:TRANS NPN BIPO 2A 50V MP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1208 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors