- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄30578 > 2SD1266PQ (PANASONIC CORP) 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1266PQ |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | 2SD1266PQ |
2SD1266, 2SD1266A
2
SJD00283AED
VCE(sat) IC
hFE IC
fT IC
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Area of safe operation (ASO)
Rth(t) t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
C=Ta
(2) With a 100
× 100 × 2mm
Al heat sink
(3) With a 50
× 50 × 2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
Ambient temperature T
a
(C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
012
10
8
26
4
0
5
4
3
2
1
T
C=25C
I
B=100mA
90mA
80mA
70mA
60mA
40mA
30mA
20mA
10mA
50mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0
2.4
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
8
6
2
5
7
4
1
3
T
C=100C
25C
–25C
V
CE=4V
Base to emitter voltage V
BE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C/IB=8
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE=4V
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE=5V
f=10MHz
T
C=25C
Collector current I
C
(A)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C=25C
I
CP
I
C
10ms
DC
t=1ms
2SD1266
2SD1266A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
10–4
10
10–3
10–1
10–2
1103
102
104
10–2
10–1
1
10
103
102
(1) Without heat sink
(2) With a 100
× 100 × 2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(t)
(
C/W
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1267R | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1267Q | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1267AQ | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1272Q | 2.5 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1302T | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1266Q | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1266R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186 |
| 2SD1267 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SD1267/2SD1267A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SD1267. 2SD1267A - NPN Transistor |
| 2SD12670P | 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 4A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。