參數(shù)資料
型號： 2SD1306NDTL-E
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-59A, MPAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 71K
代理商： 2SD1306NDTL-E
2SD1306
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 5
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown voltage
V(BR)CBO
30
—
V
IC = 10
A, IE = 0
Collector to emitter breakdown voltage
V(BR)CEO
15
—
V
IC = 1 mA, RBE =
∞
Emitter to base breakdown voltage
V(BR)EBO
5
—
V
IE = 10
A, IC = 0
Collector cutoff current
ICBO
—
1.0
A
VCB = 20 V, IE = 0
DC current transfer ratio
hFE*
1
250
—
800
VCE = 1 V, IC = 150 mA*
2
Base to emitter voltage
VBE
—
1.0
V
VCE = 1 V, IC = 150 mA*
2
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
—
0.5
V
IC = 500 mA, IB = 50 mA*
2
Gain bandwidth product
fT
—
250
—
MHz
VCE = 1 V, IC = 150 mA*
2
Notes: 1. The 2SD1306 is grouped by hFE as follows.
2. Pulse test
Grade
D
E
Mark
ND
NE
hFE
250 to 500
400 to 800
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PDF描述
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參數(shù)描述
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