參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1624
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商： 2SD1624
2SB1124/2SD1624
No.2019—2/4
Switching Time Test Circuit
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
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d
n
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V B
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M
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5
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E
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t
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a
BV
)
t
a
s
(
E
B
IC
I
,
A
2
)
–
(
=
B
A
m
0
1
)
–
(
=)
4
9
.
0
–
(2
.
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)
–
(V
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V
n
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o
d
k
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B
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B
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t
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o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
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1
)
–
(
=
E 0
=0
6
)
–
(V
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CV
O
E
C
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B
(
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R
,
A
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1
)
–
(
=
E
B =∞
0
5
)
–
(V
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g
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-
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t
i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
0
1
)
–
(
=
C 0
=6
)
–
(V
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m
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T
N
O
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0
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T
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i
c
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p
s
e
S
5
3s
n
)
5
3
(s
n
Continued from preceding page.
VR
RB
25V
--5V
+
50
INPUT
OUTPUT
25
100F
470F
PW=20s
10IB1= --10IB2=IC=1A
(For PNP, the polarity is reversed.)
IB1
D.C.≤1%
IB2
--5.0
--3.0
--2.0
--1.0
--4.0
--4.5
--2.5
--1.5
--0.5
--3.5
0
0--0.4
--0.8
--2.0
--1.6
--1.2
IC -- VCE
IB=0
ITR08907
2SB1124
--5mA
--10mA
--20mA
--50mA
--100mA
--200mA
--2.0
--1.2
--0.8
--0.4
--1.6
--1.8
--1.0
--0.6
--0.2
--1.4
0
0--4
--8--20
--16
--12
--2
--6
--18
--14
--10
IC -- VCE
IB=0
ITR08909
2SB1124
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--14mA
--12mA
--10mA
5.0
3.0
2.0
1.0
4.0
4.5
2.5
1.5
0.5
3.5
0
0.4
0.8
2.0
1.6
1.2
IC -- VCE
IB=0
ITR08908
2SD1624
5mA
10mA
20mA
80mA
60mA
40mA
100mA
2.0
1.2
0.8
0.4
1.6
1.8
1.0
0.6
0.2
1.4
0
04
8
20
16
12
26
18
14
10
IC -- VCE
IB=0
ITR08910
2SD1624
2mA
1mA
3mA
4mA
6mA
5mA
8mA
7mA
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1624T 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1624S 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1124-T 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1132T100/PR 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1132T100PQ 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1624-S 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1624S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1624S-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1624T-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPOLAR PCP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SD1624T-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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