參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1624
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商: 2SD1624
2SB1124/2SD1624
No.2019—3/4
0--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
--3.2
--2.8
--2.4
--1.6
--2.0
--1.2
--0.8
--0.4
0
IC -- VBE
ITR08911
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SB1124
VCE= --2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
3.2
2.8
2.4
1.6
2.0
1.2
0.8
0.4
0
IC -- VBE
ITR08912
Ta
=75
°C
25
°C
--25
°C
2SD1624
VCE=2V
23
5
0.1
10
23
5
0.01
23
5
1.0
f T -- IC
100
10
2
5
7
1000
7
5
3
2
3
ITR08915
2SB1124
2SD1624
Cob -- VCB
1.0
10
7
3
5
10
1.0
2
3
5
2
27
35
100
27
35
ITR08916
hFE -- IC
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
--0.01
23
5
--0.1
23
7
--1.0
ITR08913
2SB1124
VCE= --2V
Ta=75
°C
25
°C
--25°C
hFE -- IC
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
0.01
23
5
0.1
23
7
1.0
ITR08914
2SD1624
VCE=2V
Ta=75°C
25
°C
--25°C
2
5
7
3
2
5
3
--100
--10
--1000
23
5
7
77
--0.01
23
5
3
5
--0.1
2
--1.0
ITR08917
VCE(sat) -- IC
2SB1124
IC / IB=20
75°
C
25°C
Ta=
--2
5°C
2
5
7
3
2
5
3
100
10
1000
23
5
7
77
0.01
23
5
3
5
0.1
2
1.0
ITR08918
VCE(sat) -- IC
2SD1624
IC / IB=20
25°C
Ta=75°
C
--25°C
2SB1124 /
2SD1624
VCE=10V
2SB1124
2SD1624
2SB1124 /
2SD1624
f=1MHz
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
For PNP, minus sign is omitted.
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC —A
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
Collector Current, IC —A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
Collector Current, IC —A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1624T 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1624S 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1124-T 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1132T100/PR 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1132T100PQ 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1624-S 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1624S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1624S-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1624T-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPOLAR PCP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1624T-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2