參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1633
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type darlington
中文描述： 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 92K
代理商： 2SD1633
Power Transistors
2SD1633
Silicon NPN triple diffusion planar type darlington
1
Publication date: March 2003
SJD00207AED
For voltage switching
■
Features
High-speed switching
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h
FE
Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw
■
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter sustaining voltage
*2
V
CEO(SUS)
I
CBO
I
C
=
0.2 A, L
=
25 mH
V
CB
=
100 V, I
E
=
0
V
CE
=
100 V, I
B
=
0
V
EB
=
7 V, I
C
=
0
V
CE
=
3 V, I
C
=
3 A
I
C
=
3 A, I
B
=
3 mA
I
C
=
3 A, I
B
=
3 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
1 A, f
=
1 MHz
I
C
=
3 A, I
B1
=
3 mA, I
B2
=
3 mA
V
CC
=
50 V
100
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
100
μ
A
μ
A
Collector-emitter cut-off current (Base open)
I
CEO
100
Emitter-base cutoff current (Collector open)
Forward current transfer ratio
*1
I
EBO
h
FE
5
mA
1
500
15
000
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
1.5
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
f
T
2.0
V
Transition frequency
15
MHz
Turn-on time
t
on
3
μ
s
μ
s
μ
s
Storage time
t
stg
t
f
5
Fall time
3
■
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
100
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
100
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
7
V
Collector current
5
A
Peak collector current
I
CP
8
A
Base current
I
B
P
C
0.5
A
Collector power dissipation
30
W
T
a
=
25
°
C
2.0
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*1: Rank classification
*2: V
CEO(SUS)
test circuit
10.0
±
0.2
5.5
±
0.2
7
±
0
1
±
0
0
±
0
1
±
0
S
(
0.5
+0.2
1.4
±
0.1
1.3
±
0.2
0.8
±
0.1
2.54
±
0.3
5.08
±
0.5
2
1
3
2.7
±
0.2
4.2
±
0.2
4
±
0
φ
3.1
±
0.1
1: Base
2: Collector
3: Emitter
EIAJ: SC-67
TO-220F-A1 Package
Internal Connection
B
C
E
X
L
15 V
6 V
1
120
Y
G
50 Hz/60 Hz
mercury relay
Rank
Q
P
h
FE
1
500 to 6
000 5
000 to 15
000
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PDF描述
2SD1634 Silicon PNP Triple-Diffused Planar Darlington Type
2SD1640 Silicon NPN epitaxial planar darlington type AF output amplifier
2SD1641 SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH DC CURRNT GAIN,HIGH POWER AMPLIFIER TV POWER SOURCE OUTPUT
2SD1645 SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR DARLINGTON TYPE AF AMPLIFIER
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參數(shù)描述
2SD16330P 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD16400Q 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD16400R 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1641 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD16450R 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 1A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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