參數(shù)資料
型號： 2SD1633
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type darlington
中文描述： 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： 2SD1633
2SD1633
2
SJD00207AED
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
t
on
, t
stg
, t
f
I
C
P
C
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
Safe operation area
R
th
t
0
10
30
20
40
0
150
25
125
50
100
75
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
(1)T
C
=Ta
(2)With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3)With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(4)Without heat sink
(P
C
=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
0
6
1
5
2
4
3
0
2
4
6
10
8
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
C
=25C
I
B
=7.0mA
1.0mA
1.5mA
2.0mA
3.0mA
5.0mA
0.5mA
0.3mA
0.2mA
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
C
C
Collector current I
C
(A)
I
C
/I
B
=1000
–25C
25C
T
C
=100C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
B
B
Collector current I
C
(A)
I
C
/I
B
=1000
T
C
=–25C
25C
100C
0.1
1
10
100
10
10
2
10
3
10
4
10
5
F
F
Collector current I
C
(A)
V
CE
=3V
25C
–25C
T
C
=100C
0.01
0.1
1
10
100
0
8
2
6
4
T
o
s
f
μ
s
Collector current I
C
(A)
Pulsed t
w
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=1000
(I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=50V
T
C
=25C
t
stg
t
f
t
on
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1000
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
t=150μs
t=10ms
DC
t=1ms
(1)
(2)
(1)Without heat sink
(2)With a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
1
10
2
10
1
10
10
2
10
3
10
4
10
2
10
1
10
1
10
4
10
3
10
2
T
t
°
C
Time t (s)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1634 Silicon PNP Triple-Diffused Planar Darlington Type
2SD1640 Silicon NPN epitaxial planar darlington type AF output amplifier
2SD1641 SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH DC CURRNT GAIN,HIGH POWER AMPLIFIER TV POWER SOURCE OUTPUT
2SD1645 SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR DARLINGTON TYPE AF AMPLIFIER
2SD1649 COLOR TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT APPLICATIONS(WITH DAMPER DIODE)
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參數(shù)描述
2SD16330P 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD16400Q 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD16400R 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1641 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD16450R 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 1A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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