參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1668-S
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220ML, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SD1668-S
2SB1135/2SD1668
No.2094–2/4
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Pl
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A
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–
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B
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(
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E 0
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6
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–
(V
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CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
5
)
–
(V
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g
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o
V
n
w
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k
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B
E
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B
(
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I
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1
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–
(
=
C 0
=6
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–
(V
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S
)
1
.
0
(s
3
.
0s
Switching Time Test Circuit
Continued from preceding page.
PW=20
s
VR
100
RB
1
VCC=20V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
10
100
F
470
F
IB1
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
(For PNP, the polarity is reversed.)
--12
--10
--8
--6
--4
--2
2SB1135
2SD1668
IC -- VCE
IB=0
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
200mA
400mA
600mA
ITR08982
0
--0.8
--1.4
--0.4
--1.2
--0.6
--0.2
--1.0
IC -- VCE
--20mA
--10mA
--80mA
--40mA
--60mA
--100mA
--200mA
--400mA
--600mA
--800mA
--1A
1A
IB=0
ITR08981
2SB1135
VCE= --2V
--8
--10
--12
--6
--2
--4
0
IC -- VBE
ITR08983
2SD1668
VCE=2V
IC -- VBE
ITR08984
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
6
4
2
0
0.8
1.4
0.4
1.2
0.6
0.2
1.0
0
--0.8
--1.4
--0.4
--1.2
--0.6
--0.2
--1.0
0
0.8
1.4
0.4
1.2
0.6
0.2
1.0
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SD1750AP 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2SD1766T100/P 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1758TL/P 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD1683S 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1683T 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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