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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1758TL/P |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CPT3, SC-63, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | 2SD1758TL/P |
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
Transistors
Rev.A
1/3
Medium Power Transistor (32V, 2A)
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.5V(Typ.)
IC / IB = 2A / 0.2A
2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 /
2SB1240.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
4.0
±
0.3
1.0
±
0.2
0.5
±
0.1
2.5
3.0
±0.2
1.5
±0.1
1.5
±0.1
0.4
±0.1
0.5
±0.1
0.4
±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6
±0.1
0.1
+0.2
0.1
+0.2
+
0.3
0.1
2.3
±0.2
2.3
±0.2
0.65
±0.1
0.9
0.75
1.0
±0.2
0.55
9.5
±
0.5
5.5
1.5
±
0.3
2.5
1.5
2.3
0.5
±0.1
6.5
±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0.9
1.0
6.8
±0.2
2.5
±0.2
1.05
0.45
±0.1
2.54 2.54
0.5
±0.1
0.9
4.4
±
0.2
14.5
±
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : ATV
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
2SD1766
2SD1758
2SD1862
Abbreviated symbol : DB
Denotes hFE
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
2SD1766
2SD1758
2SD1862
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
Collector
power
dissipation
1 Single pulse, Pw=20ms
2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
3 Printed circuit board: 1.7 mm thick, collector copper plating 1 cm2or lager.
Parameter
Symbol
Limits
Unit
VCBO
40
V
VCEO
32
V
VEBO
5V
IC
ICP
2
A (DC)
2.5
A (Pulse)
1
Tj
150
°C
Tstg
55 to +150
°C
PC
0.5
1
3W
2
2
1
W
10
W (Tc
=25°C)
W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1766T100/Q | 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1766T100/R | 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1766T100P | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1781KT146/PQ | 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1781KT146/P | 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1758TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1758TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1759TL | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1760FRATLR | 制造商:ROHM SEMICONDUCTOR 功能描述:HIGH REL TRANS GP BJT NPN 50V 3A TR |
| 2SD1760TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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