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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1685 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | High-Current Switching Applications |
| 中文描述： | 大電流開關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | 2SD1685 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1705 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SD1706 | SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER SWITCHING |
| 2SB1155 | SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER SWITCHING |
| 2SD1707 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SD1719 | Silicon NPN triple diffusion planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1685F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1685G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1691-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-126 Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN Power Transistor, 60V, 5.0A, TO-126 |
| 2SD1691-AZ(L) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD1691-K-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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