參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1705
廠商: PANASONIC CORP
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述: 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SC-92, TOP-3F-A1, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商: 2SD1705
2SD1705
2
SJD00210BED
V
CE(sat)
I
C
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
P
C
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
f
T
I
C
t
on
,
t
stg
,
t
f
I
C
Safe operation area
0
120
100
80
60
40
20
0
150
25
125
50
100
75
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
(1)T
C
=Ta
(2)With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3)Without heat sink
(P
C
=3.0W)
(1)
(3)
(2)
0
12
2
10
4
8
6
0
4
8
12
20
16
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
C
=25C
I
B
=400mA
250mA
200mA
160mA
120mA
100mA
80mA
60mA
40mA
20mA
0.1
1
10
0.01
10
1
0.1
C
C
Collector current I
C
(A)
(1) I
C
/I
B
=10
(2) I
C
/I
B
=20
T
C
=25C
(1)
(2)
0.1
1
10
0.01
10
1
0.1
C
C
Collector current I
C
(A)
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
25C
–25C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
B
B
Collector current I
C
(A)
T
C
=–25C
25C
100C
I
C
/I
B
=10
0.1
10
1
1
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(A)
V
CE
=2V
T
C
=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1
000
Collector current I
C
(A)
T
T
V
CE
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
0.01
0.1
1
10
100
0
8
2
6
4
T
o
s
f
μ
s
Collector current I
C
(A)
Pulsed t
w
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=10(I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=50V
T
C
=25C
t
stg
t
f
t
on
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
t=10ms
t=1ms
DC
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SD1717 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS. TRANS. TOP-3L 160V 12A 120W BCE
2SD1718 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS. TRANS. TOP-3L 170V 15A 150W BCE
2SD1724 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-126LP 120V 3A 20W ECB