參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1781KT146Q
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SMT3, SC-59, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 47K
代理商： 2SD1781KT146Q
2SD1781K
Transistors
Rev.A
1/3
Medium Power Transistor (32V, 0.8A)
2SD1781K
Features
1) Very Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.1V(Typ.)
IC / IB= 500 A / 50mA
2) High current capacity in compact package.
3) Complements the 2SB1197K.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
0~0.1
2.8
±
0.2
1.6
0.3~0.6
1.1
0.8
±0.1
0.15
0.4
2.9
±0.2
1.9
±0.2
0.95 0.95
+
0.2 0.1
0.1
+0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
Abbreviated symbol : AF
All terminals have
same dimensions
Denotes hFE
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
PC
Tj
Tstg
40
V
A (DC)
mW
°C
32
5
0.8
A (Pulse)
1.5
IC
ICP
200
150
55 to
+150
Symbol
Limits
Unit
Single pulse Pw=100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SD1801 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SD1782KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1782KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1782KT146R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1784(TE12L,CF) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
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