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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1782KT146/R |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SMT3, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 80K |
| 代理商： | 2SD1782KT146/R |
2SD1782K
Transistors
Rev.A
2/3
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
80
5
120
0.2
120
7.5
0.5
390
0.5
VIC
=50
A
IC
=2mA
IE
=50
A
VCB
=50V
VEB
=4V
VCE
=3V, IC=100mA
IC/IB
=500mA/50mA
VCE
=10V, IE= 50mA, f=100MHz
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
V
A
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Output capacitance
Transition frequency
Packaging specifications and hFE
Package
Code
T146
3000
Taping
Basic ordering
unit (pieces)
QR
hFE
2SD1782K
Type
hFE values are classified as follows :
Item
Q
hFE
120 to 270
R
180 to 390
Electrical characteristic curves
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
Fig.1
Grounded emitter propagation
characteristics
0.2
500
200
100
20
50
10
2
1
5
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
VCE
=3V
25
°C
25°C
Ta
=100°C
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.2
Grounded emitter output
characteristics
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.5mA
1.0mA
1.5mA
2.0mA
2.5mA
3.0mA
3.5mA
4.0mA
4.5mA
5.0mA
IB
=0mA
Ta
=25°C
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.3
DC current gain vs. collector
current
1
10
20
50
100
200
500
1000
2
5
10
20
50 100 200
5001000
VCE
=3V
Ta
=100°C
25
°C
25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1795 | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1801T | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1801 | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1801R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1201T | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1784(TE12L,CF) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SD1785 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:NPN Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Trans Darlington NPN 120V 6A 3-Pin (3+Tab) TO-220F Box 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 120V 6A TO220F |
| 2SD1788-4000 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1788-7000 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1788-7012 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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