參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1802U
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
封裝: TO-252, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 283K
代理商: 2SD1802U
UTC2SD1802 NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
2
QW-R209-001,A
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Storage Time
tstg
See test circuit
650
ns
Fall Time
tf
See test circuit
35
ns
CLASSIFICATION OF hFE1
RANK
R
S
T
U
RANGE
100-200
140-280
200-400
280-560
TEST CIRCUIT (Unit : resistance : , capacitance : F)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1802R 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
2SD1802S 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
2SD1805GTP-FA 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1805FTP 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1805GTP 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SD1803S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1803S-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1803S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1803S-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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