參數(shù)資料
型號： 2SD1821AS
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 50 mA, 185 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 435K
代理商： 2SD1821AS
Transistors
Publication date : October 2008
SJC00425AED
1
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SD1821A
Silicon NPN epitaxial planar type
For high breakdown voltage low-frequency and low-noise
amplication
Features
High collector-emitter voltage (Base open) VCEO
Low noise voltage NV
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic
insertion through the tape packing.
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
185
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
185
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
5
V
Collector current
IC
50
mA
Peak collector current
ICP
100
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°
C
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 100 mA, IB = 0
185
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = 10 mA, IC = 0
5
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 100 V, IE = 0
1
m
A
Forward current transfer ratio *
hFE
VCE = 5 V, IC = 10 mA
130
330
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC = 30 mA, IB = 3 mA
1
V
Transition frequency
fT
VCB = 10 V, IE = –10 mA, f = 200 MHz
150
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
2.3
pF
Noise voltage
NV
VCB = 10 V, IC = 1 mA, GV = 80 dB,
Rg = 100 k, Function = FLAT
150
mV
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classication
Rank
R
S
hFE
130 to 220
185 to 330
Package
Code
SMini3-G1
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
Marking Symbol: L
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PDF描述
2SD1823G 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SD1821S 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD18230RL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1823GRL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD18240RL 功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO SMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD18240SL 功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO SMINI3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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