參數(shù)資料
型號: 2SD1821AS
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 50 mA, 185 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 435K
代理商: 2SD1821AS
2SD1821A
SJC00425AED
3
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
SMini3-G1
Unit: mm
(0.65)
1.3 ±0.1
(0.65)
0.3
1.
25
±0
.1
0
(0
.4
25
)
2.
1
±0
.1
2.0 ±0.2
3
2
1
10°
0.
9
±0
.1
0
to
0.
1
0.
9
0.
2
±0
.1
0.15
+0.1
0.0
+0
.2
0
.1
+0.10
0.05
相關PDF資料
PDF描述
2SD1823G 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1823GS 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1823GT 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1823G-R 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1824GS 20 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1821S 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD18230RL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1823GRL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD18240RL 功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO SMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD18240SL 功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO SMINI3P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR