參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1975
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification)
中文描述： 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TOP3L, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： 2SD1975
2
Power Transistors
2SD1975, 2SD1975A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
C
ob
— V
CB
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
200
150
50
100
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=3.5W)
(1)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
24
20
16
12
8
4
I
B
=1000mA
T
C
=25C
800mA
700mA
600mA
500mA
400mA
300mA
200mA
100mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
4
1
3
2
0
24
20
16
12
8
4
V
CE
=5V
T
C
=–25C
25C
100C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(A)
3
30
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(A)
3
30
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE
=5V
25C
–25C
T
C
=100C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
1000
100
10
3
30
300
V
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
T
T
1
3
10
30
100
10
10000
1000
100
30
300
3000
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
t=10ms
100ms
DC
I
CP
I
C
2
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1975A Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification)
2SD1977 PNP EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFUSSED TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
2SD1979 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
2SD1985 Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
2SD1985A Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1979 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SD1980TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1980TLR 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape
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