參數資料
型號： 2SD1976
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數： 2/6頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： 2SD1976
2SD1976
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
300
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
300
V
Emitter to base voltage
V
EBO
7V
Collector current
I
C
6A
Diode current
I
D*
1
6A
Collector peak current
I
C(peak)
10
A
Collector power dissipation
P
C*
1
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
300
—
420
V
I
C = 0.1 mA, IE = 0
Collector to emitter sustain
voltage
V
CEO(SUS)
300
—
V
I
C = 3 A, RBE = ∞, L = 10 mH
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7—
—
V
I
E = 50 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CEO
—
100
AV
CE = 300 V, RBE = ∞
DC current transfer ratio
h
FE
500
—
V
CE = 2 V, IC = 4 A
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
1.5
V
I
C = 4 A, IB = 40 mA
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
2.0
V
I
C = 4 A, IB = 40 mA
Emitter to collector diode
forward voltage
V
ECF
—
3.5
V
I
F = 6 A
Turn on time
t
on
—
1.2
—
sI
C = 4 A, VCC = 20 V
Storage time
t
stg
—
8.0
I
B1 = –IB2 = 40 mA
Fall time
t
f
—
8.0
—
相關PDF資料
PDF描述
2SD1985Q 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1985AQ 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1993R 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1993S 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1993T 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD1979 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1980TL 功能描述:達林頓晶體管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1980TLR 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*