參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1976
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： 2SD1976
2SD1976
5
Package Dimensions
0.5
± 0.1
2.54
± 0.5
0.76
± 0.1
14.0
±0.5
15.0
±0.3
2.79
±0.2
18.5
±0.5
7.8
±0.5
10.16
± 0.2
2.54
± 0.5
1.26
± 0.15
4.44
± 0.2
2.7 MAX
1.5 MAX
11.5 MAX
9.5
8.0
1.27
6.4
+0.2
–0.1
φ 3.6 +0.1
-0.08
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
TO-220AB
Conforms
1.8 g
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1985Q 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1985AQ 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1993R 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1993S 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1993T 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1979 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1980TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1980TLR 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape
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