參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1993
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification)
中文描述： 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-1-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SD1993
2
Transistor
2SD1993
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
NF — I
E
NV — I
C
0
200
160
40
120
80
0
500
400
300
200
100
Ta=25C
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
Ta=25C
I
B
=400
μ
A
50
μ
A
350
μ
A
300
μ
A
250
μ
A
200
μ
A
150
μ
A
100
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=5V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
25C
–25C
Ta=75C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0
1000
800
600
400
200
V
CE
=5V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
–1
–3
–10
–30
–100
0
400
300
100
250
350
200
50
150
V
=5V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
1
3
10
30
100
0
10
8
6
4
2
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
–10
–30
–100
–300
–1000
0
8
6
2
5
7
4
1
3
V
CE
=5V
R
=1k
Ta=25C
f=100Hz
10kHz
1kHz
Emitter current I
E
(
μ
A)
N
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=10V
G
=80dB
Function=FLAT
5k
R
g
=100k
22k
Collector current I
C
(
μ
A)
N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1994A Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification)
2SD1995 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD1996 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
2SD2000 Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching)
2SD2012 Audio Frequency Power Amplifier NPN Transistor(音頻功率放大器NPN晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1994A 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1994ARA 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1994ASA 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1994ATA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19960RA 功能描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*