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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1994A |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification) |
| 中文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MT2 TYPE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | 2SD1994A |
Transistors
2SD1994A
Silicon NPN epitaxial planer type
1
For low-frequency power amplification and driver amplification
Complementary to 2SB1322A
I
Features
Low collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
Output of 2 W to 3 W is obtained with a complementary pair with
2SB1322A
Allowing supply with the radial taping
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
60
V
Collector to emitter voltage
50
V
Emitter to base voltage
V
EBO
I
CP
I
C
5
V
Peak collector current
1.5
A
Collector current
1
A
Collector power dissipation
*
P
C
T
j
T
stg
1
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
500 mA
V
CE
=
5 V, I
C
=
1 A
I
C
=
500 mA, I
B
=
50 mA
I
C
=
500 mA, I
B
=
50 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
, f
=
1 MHz
0.1
μ
A
Collector to base voltage
60
V
Collector to emitter voltage
50
V
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
*1
V
EBO
h
FE1
*2
h
FE2
5
V
85
340
50
100
Collector to emitter saturation voltage
*1
Base to emitter saturation voltage
*1
Transition frequency
*1
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
0.2
0.4
V
0.85
1.2
V
200
MHz
Collector output capacitance
C
ob
11
20
pF
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
2.5
±
0.1
4
±
0
1
±
0
2.5
±
0.5
2.5
±
0.5
2
±
0
6.9
±
0.1
1.05
±
0.05
(1.45)
4.0
0.7
0.8
0
0
0
1
1
0.65 max.
0.45
+
0.1
0.05
0
+
0
0
3
2
1
1.2
±
0.1
0.65
0.45
0.1
+
(HW Type)
Note) In addition to the
lead type shown in
the upper figure,
the type as shown
in the lower figure
is also available.
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT2 Type Package
Rank
Q
R
S
No-rank
h
FE1
85 to 170
120 to 240
170 to 340
85 to 340
Note)*1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Product of no-rank is not classified and have no indication for rank.
Note)*: Printed circuit board: Copper foil area of 1 cm
2
or more, and the
board thickness of 1.7 mm for the collector portion
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SD19960SA | 功能描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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