參數(shù)資料
型號： 2SD1994A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification)
中文描述： 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MT2 TYPE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 69K
代理商： 2SD1994A
2SD1994A
Transistors
2
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
I
B
V
CE(sat)
I
C
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
C
ob
V
CB
V
CER
R
BE
0
160
40
120
80
140
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Copper plate at the collector
is more than 1 cm
2
in area,
1.7 mm in thickness
C
C
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
10
2
4
8
6
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
9 mA
8 mA
7 mA
6 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
C
C
I
B
=
10 mA
T
a
=
25
°
C
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
12
2
10
4
8
6
Base current I
B
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
C
I
C
(
0.001
0.003
0.01
0.03
Collector current I
C
(A)
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.1
0.3
1
3
10
C
V
C
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
100
°
C
0.01
0.03
0.01
0.03
Collector current I
C
(A)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0.1
0.3
1
3
10
B
V
B
I
C
/
I
B
=
10
T
a
=
25
°
C
25
°
C
100
°
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0
100
200
300
500
400
T
a
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
V
CE
=
10 V
1
3
10
30
100
2
20
5
50
0
40
80
120
200
160
20
60
100
180
140
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
1
60
50
40
30
20
10
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
0.1
Base to emitter resistance R
BE
(k
)
0.3
1
3
10
30
100
0
120
100
80
60
40
20
C
C
I
C
=
10 mA
T
a
=
25
°
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SD1994ARA 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1994ASA 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1994ATA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19960RA 功能描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD19960SA 功能描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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