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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2165-M |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 114K |
| 代理商： | 2SD2165-M |
Data Sheet D13178EJ2V0DS
2
2SD2165
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 60 V, IE = 0 A
10
A
Emitter cutoff current
IEBO
VEB = 7.0 V, IC = 0 A
10
A
DC current gain
hFE1
VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A
Note
800
1,300
3,200
DC current gain
hFE2
VCE = 5.0 V, IC = 3.0 A
Note
500
1,000
Collector saturation voltage
VCE(sat)
IC = 3.0 A, IB = 30 mA
Note
0.3
0.5
V
Base saturation voltage
VBE(sat)
IC = 3.0 A, IB = 30 mA
Note
1.2
V
Gain bandwidth product
fT
VCE = 5.0 V, IC = 0.1 A
110
MHz
Collector capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0 A, f = 1.0 MHz
50
pF
Note Pulse test PW
≤ 350
s, duty cycle ≤ 2%
hFE1 CLASSIFICATION
Marking
M
L
K
hFE1
800 to 1,600
1,000 to 2,000
1,600 to 3,200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2165-K-AZ | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2165-M | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2176 | 1.2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SD2176 | 1.2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SD2181S | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2165-M-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD2166 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) |
| 2SD2166Q | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) |
| 2SD2166R | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) |
| 2SD2166S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
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