參數(shù)資料
型號: 2SD2176
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 1.2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243
封裝: PCP, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 78K
代理商: 2SD2176
2SD2176
No.3196-3/4
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
A S O
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
PC -- Ta
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
0
1.4
0.8
1.2
1.0
0.6
0.4
0.2
20
060
40
80
100
140
120
160
ITR10284
Mounted
on
a
ceramic
board
(250mm
2
0.8mm)
0.1
77
23
5
1.0
2
5
3
2
1.0
5
7
IC / IB=500
ITR10281
Ta
=7
C
--25
°C
1000
7
5
3
2
7
5
7
5
3
2
100
77
0.01
3
25
7
3
25
0.1
1.0
2
25
°C
VCE=3V
ITR10280
0.1
77
23
5
1.0
2
5
3
2
1.0
7
25°C
IC / IB=500
75
°C
Ta= --25°C
ITR10282
10ms
100
μs
1.0
5
7
2
3
5
7
2
3
5
2
3
0.01
0.1
1.0
57
2
5
37
2
5
37
100
10
DC
operation
1ms
ITR10283
75°C
Ta= --25°C
25°C
ICP=2.5A
IC=1.2A
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (250mm2
0.8mm)
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
02
5
4
13
80
μA
100μ
A
120μ
A
IB=0μA
From top
200
μA
180
μA
160
μA
140
μA
ITR10278
T
a=75
°C
--25
°C
1.4
1.0
1.2
0.2
0.8
0.4
0.6
0
VCE=3V
25
°C
0.6
0.8
1.2
1.6
1.0
1.4
1.8
2.0
ITR10279
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PDF描述
2SD2176 1.2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243
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2SD2193 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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