參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2196
廠商： Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd.
英文描述： Darlington Transistor(15A NPN)
中文描述： 達(dá)林頓晶體管（第15A NPN）的
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
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代理商： 2SD2196
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Case : ITO-3P
Darlington Transistor
15A NPN
2SD2196
(TP15L20)
●
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Tstg
Tj
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
Vdis
TOR
Conditions
Ratings
-55
～
+
1
50
+
1
50
200
200
7
1
5
22
1
2
65
2
0.8
Unit
℃
℃
V
V
V
A
A
A
A
W
kV
N
m
Storage Temperature
Junction Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current DC
Collector Current Peak
Base Current DC
Base Current Peak
Total Transistor Dissipation
Dielectric Strength
Mounting Torque
Tc = 25
℃
Terminals to case AC
1
minute
(Recommended torque : 0.5N
m
）
●
Electrical Characteristics (Tc=25
℃
)
Item
Collector Cutoff Current
Symbol
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
Conditions
Ratings
Max 0.
1
Max 0.
1
Max 5
Min
1
,500
Max 30,000
Max
1
.5
Max 2.0
Max
1
.92
TYP 20
Max 2
Unit
mA
V
CB
= 200V
V
CE
= 200V
V
EB
= 7V
V
CE
= 3V, I
C
=
1
0A
Emitter Cutoff Current
mA
DC Current Gain
Collector to Emitter Saturation Voltage
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
θ
jc
f
T
ton
IC =
1
0A
V
V
Base to Emitter Saturation Voltage
Thermal Resistance
Transition Frequency
Turn on Time
I
B
= 30mA
Junction to case
V
CE
=
1
0V, I
C
=
1
.5A
℃
/W
MHz
I
C
=
1
0A
I
B
1
= I
B2
= 30mA
R
L
= 3
Ω
V
BB2
= 4V
Storage Time
ts
Max
1
2
μ
s
Fall Time
tf
Max 5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2200 80V/5A Switching Applications
2SD2204 NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITHCING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS)
2SD2206 NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SD2210 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
2SD2215 Silicon NPN triple diffusion planar type(Silicon NPN triple diffusion planar type)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2196-4100 功能描述:達(dá)林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD2196-7100 功能描述:達(dá)林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD2196-7112 功能描述:達(dá)林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD2197M 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71
2SD2197MP 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71
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