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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2209P |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 115 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 175K |
| 代理商： | 2SD2209P |
2
Power Transistors
2SD2209
PC —Ta
IC —VCE
VCE(sat) —IC
VBE(sat) —IC
hFE —IC
Cob —VCB
IC — Lcoil
Area of safe operation (ASO)
0
150
125
100
25
75
50
0
25
20
15
10
5
(1) T
C=Ta
(2) With a 100
× 100 × 2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C=1.3W)
(1)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
012
10
8
26
4
0
6
5
4
3
2
1
I
B=2mA
T
C=25C
1mA
0.75mA
0.15mA
0.5mA
0.1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
I
C/IB=250
T
C=–25C
25C
100C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
0.1
100
10
1
0.3
3
30
I
C/IB=250
T
C=–25C
100C
25C
Collector current I
C
(A)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
0.1
0.3
1
3
10
100
100000
10000
1000
300
3000
30000
V
CE=3V
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
1
3
10
30
100
1
1000
100
10
3
30
300
I
E=0
f=1MHz
T
C=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
1
3
10
30
100
0.1
100
10
1
0.3
3
30
Load inductance L
coil
(mH)
Collector
current
I
C
(A
)
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Non repetitive pulse
T
C=25C
10ms
300ms
t=1ms
I
CP
I
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2213 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2213 | 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD2215AQ | 0.75 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2215AP | 0.75 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2215P | 0.75 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD221 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Transistor |
| 2SD2210 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
| 2SD22100RL | 功能描述:TRANS NPN LF 20VCEO .5A MINI-PWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2210R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62 |
| 2SD2210S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62 |
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